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SI5401DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Número da peça
SI5401DC-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
1206-8 ChipFET™
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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