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SI4500BDY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Número da peça
SI4500BDY-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
1.3W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Tipo FET
N and P-Channel, Common Drain
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6.6A, 3.8A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
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