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SI4004DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
Número da peça
SI4004DY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1280pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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