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IRLD120
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Número da peça
IRLD120
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
12nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
490pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4V, 5V
Vgs (máx.)
±10V
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