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IRFD420PBF
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
Número da peça
IRFD420PBF
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
370mA (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
360pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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