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IRFD014
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Número da peça
IRFD014
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
310pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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