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TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Número da peça
TPN22006NH,LQ
Series
U-MOSVIII-H
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dissipação de energia (máx.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
710pF @ 30V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
6.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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