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TPN1110ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Número da peça
TPN1110ENH,L1Q
Fabricante/Marca
Series
U-MOSVIII-H
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dissipação de energia (máx.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
7.2A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
600pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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