TPH6400ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
Número da peça
TPH6400ENH,L1Q
Fabricante/Marca
Series
U-MOSVIII-H
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP Advance (5x5)
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
64 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11.2nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1100pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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