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TK6Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
Número da peça
TK6Q65W,S1Q
Fabricante/Marca
Series
DTMOSIV
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.05 Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 180µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
390pF @ 300V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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