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TK55S10N1,LQ
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Número da peça
TK55S10N1,LQ
Fabricante/Marca
Series
U-MOSVIII-H
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Dissipação de energia (máx.)
157W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
55A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
49nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3280pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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