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TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
Número da peça
TK32A12N1,S4X
Series
U-MOSVIII-H
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
120V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
13.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2000pF @ 60V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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