Toshiba Semiconductor and Storage
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TK12E80W,S1X
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TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Número da peça
TK12E80W,S1X
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSIV
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Dissipação de energia (máx.)
165W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 570µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1400pF @ 300V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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