Toshiba Semiconductor and Storage
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TK12A50E,S4X
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TK12A50E,S4X

MOSFET N-CH 500V TO220SIS
Número da peça
TK12A50E,S4X
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
520 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1300pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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