Toshiba Semiconductor and Storage
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TK12A60W,S4VX
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TK12A60W,S4VX

MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
Número da peça
TK12A60W,S4VX
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSIV
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
Super Junction
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.7V @ 600µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
890pF @ 300V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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