Compre Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE(TE85L,F) MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

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SSM6J53FE(TE85L,F)

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

Número da peça

SSM6J53FE(TE85L,F)

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Series

Status da peça

Obsolete

Embalagem

Digi-Reel®

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

SOT-563, SOT-666

Pacote de dispositivos do fornecedor

ES6 (1.6x1.6)

Dissipação de energia (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

20V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

136 mOhm @ 1A, 2.5V

Vgs(th) (máx.) @ ID

1V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

10.6nC @ 4V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

568pF @ 10V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

1.5V, 2.5V

Vgs (máx.)

±8V

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