Compre Toshiba Semiconductor and Storage SSM6H19NU,LF MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

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SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Número da peça

SSM6H19NU,LF

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Series

U-MOSVII-H

Status da peça

Active

Embalagem

Cut Tape (CT)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

6-UDFN Exposed Pad

Pacote de dispositivos do fornecedor

6-UDFN (2x2)

Dissipação de energia (máx.)

1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

40V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs(th) (máx.) @ ID

1.2V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

2.2nC @ 4.2V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

130pF @ 10V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

1.8V, 8V

Vgs (máx.)

±12V

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