Compre Toshiba Semiconductor and Storage BAS516,H3F DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

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BAS516,H3F

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Número da peça

BAS516,H3F

Fabricante/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Series

Status da peça

Active

Embalagem

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

SC-79, SOD-523

Pacote de dispositivos do fornecedor

ESC

Tipo de diodo

Standard

Corrente - Média Retificada (Io)

250mA

Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se

1.25V @ 150mA

Corrente - Vazamento reverso @ Vr

200nA @ 80V

Tensão - CC reversa (Vr) (Máx.)

100V

Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tempo de recuperação reversa (trr)

3ns

Temperatura Operacional - Junção

150°C (Max)

Capacitância @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

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