Toshiba Semiconductor and Storage
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2SK879-Y(TE85L,F)
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2SK879-Y(TE85L,F)

JFET N-CH 0.1W USM
Número da peça
2SK879-Y(TE85L,F)
Fabricante/Marca
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
125°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SC-70, SOT-323
Potência - Máx.
100mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
USM
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8.2pF @ 10V
Tensão - Quebra (V(BR)GSS)
-
Corrente - Dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0)
1.2mA @ 10V
Dreno atual (Id) - Máx.
-
Tensão - Corte (VGS desligado) @ Id
400mV @ 100nA
Resistência - RDS (ligado)
-
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