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TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Número da peça
TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante/Marca
Series
Benand™
Status da peça
Active
Embalagem
Tray
Tecnologia
FLASH - NAND (SLC)
Temperatura de operação
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
67-VFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
67-VFBGA (6.5x8)
Tensão - Alimentação
1.7 V ~ 1.95 V
Tipo de memória
Non-Volatile
Tamanho da memória
4Gb (512M x 8)
Tempo de acesso
25ns
Frequência do relógio
-
Formato de memória
Flash
Tempo de ciclo de gravação - palavra, página
25ns
Interface de memória
Parallel
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