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TPS1100DG4
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Número da peça
TPS1100DG4
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Dissipação de energia (máx.)
791mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
15V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
5.45nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.7V, 10V
Vgs (máx.)
+2V, -15V
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