Compre Taiwan Semiconductor Corporation TSM6NB60CZ C0G MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

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TSM6NB60CZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220

Número da peça

TSM6NB60CZ C0G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Series

Status da peça

Obsolete

Embalagem

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote/Caixa

TO-220-3

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220

Dissipação de energia (máx.)

40W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

600V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

1.6 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

4.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

18.3nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

872pF @ 25V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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