Compre Taiwan Semiconductor Corporation TSM600N25ECH C5G MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251

A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.

Ver mais informações DataSheets

TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251

Número da peça

TSM600N25ECH C5G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Series

Status da peça

Active

Embalagem

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote/Caixa

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-251 (IPAK)

Dissipação de energia (máx.)

52W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

250V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

600 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

8.4nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

423pF @ 25V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitar orçamento

Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.

Em estoque 2260 PCS

Informações de contato

Produtos relacionados