Compre Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CI C0G MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

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TSM60NB190CI C0G

MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Número da peça

TSM60NB190CI C0G

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Series

Status da peça

Active

Embalagem

Tube

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote/Caixa

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacote de dispositivos do fornecedor

ITO-220

Dissipação de energia (máx.)

33.8W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

600V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

1273pF @ 100V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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