Compre Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N900CP ROG MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

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TSM60N900CP ROG

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

Número da peça

TSM60N900CP ROG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Series

Status da peça

Not For New Designs

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-252, (D-Pak)

Dissipação de energia (máx.)

50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Recurso FET

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

600V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

4.5A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

480pF @ 100V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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