Compre Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR 60V 27A 30MO N-CHANNEL POWER MOS

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TSM300NB06CR

60V 27A 30MO N-CHANNEL POWER MOS

Número da peça

TSM300NB06CR

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Status da peça

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

8-PowerTDFN

Pacote de dispositivos do fornecedor

8-PDFN (5x6)

Dissipação de energia (máx.)

3.1W (Ta), 56W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

60V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

6A (Ta), 27A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

30 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

4.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

1110pF @ 30V

Vgs (máx.)

±20V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

10V

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