STS20N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Número da peça
STS20N3LLH6
Fabricante/Marca
Series
DeepGATE™, STripFET™ VI
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Dissipação de energia (máx.)
2.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1690pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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