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STH6N95K5-2

STH6N95K5-2

MOSFET N-CH 950V 6A
Número da peça
STH6N95K5-2
Fabricante/Marca
Series
MDmesh™ K5
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2Pak-2
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
950V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
13nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
450pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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