STH210N75F6-2
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
Número da peça
STH210N75F6-2
Fabricante/Marca
Series
DeepGATE™, STripFET™ VI
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2Pak-2
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
75V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
171nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
11800pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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