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STFI11NM65N
MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Número da peça
STFI11NM65N
Fabricante/Marca
Series
MDmesh™ II
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAKFP (TO-281)
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
455 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
800pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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