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STE110NS20FD
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Número da peça
STE110NS20FD
Fabricante/Marca
Series
MESH OVERLAY™
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
ISOTOP
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISOTOP®
Dissipação de energia (máx.)
500W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
504nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7900pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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