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SCT50N120
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Número da peça
SCT50N120
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
HiP247™
Dissipação de energia (máx.)
318W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
122nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1900pF @ 400V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
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