US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Número da peça
US6M11TR
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Potência - Máx.
1W
Pacote de dispositivos do fornecedor
UMT6
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V, 12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.5A, 1.3A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
110pF @ 10V
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