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RSD100N10TL
MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
Número da peça
RSD100N10TL
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Not For New Designs
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
CPT3
Dissipação de energia (máx.)
20W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
133 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
700pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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