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RD3T100CNTL1

RD3T100CNTL1

NCH 200V 10A POWER MOSFET
Número da peça
RD3T100CNTL1
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Dissipação de energia (máx.)
85W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5.25V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1400pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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