EMD9T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Número da peça
EMD9T2R
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SOT-563, SOT-666
Potência - Máx.
150mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
EMT6
Tipo de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Atual - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Atual - Corte do Coletor (Máx.)
500nA
Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V
Frequência - Transição
250MHz
Resistência - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Base Emissor (R2)
47 kOhms
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