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H7N1002LS-E
MOSFET N-CH 100V LDPAK
Número da peça
H7N1002LS-E
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
SC-83
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-LDPAK
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
75A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
-
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
155nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9700pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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