FJ4B01100L1
CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Número da peça
FJ4B01100L1
Fabricante/Marca
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
4-XFLGA, CSP
Pacote de dispositivos do fornecedor
XLGA004-W-0808-RA01
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
74 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 1.2mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
459pF @ 10V
Vgs (máx.)
±8V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.5V, 4.5V
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