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NVTR01P02LT1G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Número da peça
NVTR01P02LT1G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3
Dissipação de energia (máx.)
400mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.25V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
3.1nC @ 4V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
225pF @ 5V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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