ON Semiconductor
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NVMD6N03R2G

NVMD6N03R2G

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Número da peça
NVMD6N03R2G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potência - Máx.
1.29W
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOIC
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
950pF @ 24V
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