ON Semiconductor
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NVF3055-100T1G
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NVF3055-100T1G

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Número da peça
NVF3055-100T1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-261-4, TO-261AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Dissipação de energia (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
455pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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