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NVD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Número da peça
NVD6415ANLT4G
Fabricante/Marca
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1024pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
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