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NVATS4A101PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
Número da peça
NVATS4A101PZT4G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivos do fornecedor
ATPAK
Dissipação de energia (máx.)
36W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
875pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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