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NTHD3102CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
Número da peça
NTHD3102CT1G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SMD, Flat Lead
Potência - Máx.
1.1W
Pacote de dispositivos do fornecedor
ChipFET™
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A, 3.1A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
7.9nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
510pF @ 10V
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