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NTHD2110TT1G
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Número da peça
NTHD2110TT1G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
ChipFET™
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
850mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1072pF @ 6V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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