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NTHC5513T1G

NTHC5513T1G

MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Número da peça
NTHC5513T1G
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-SMD, Flat Lead
Potência - Máx.
1.1W
Pacote de dispositivos do fornecedor
ChipFET™
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
2.9A, 2.2A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
180pF @ 10V
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