ON Semiconductor
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FQN1N60CTA
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FQN1N60CTA

MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
Número da peça
FQN1N60CTA
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
QFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta), 3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
11.5 Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
6.2nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
170pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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