ON Semiconductor
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FQA65N20
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FQA65N20

MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Número da peça
FQA65N20
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
QFET®
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PN
Dissipação de energia (máx.)
310W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
200nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7900pF @ 25V
Vgs (máx.)
±30V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
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