ON Semiconductor
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FDPF10N60ZUT
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FDPF10N60ZUT

MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
Número da peça
FDPF10N60ZUT
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
UniFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
800 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1980pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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