ON Semiconductor
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FDP8030L
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FDP8030L

MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Número da peça
FDP8030L
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
PowerTrench®
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Dissipação de energia (máx.)
187W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
170nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
10500pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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